Grosse semaine dans le monde du semi-conducteur. Pour un p'tit recap, avec le passage au node 4 nm chez TSMC, la volonté de l'Inde de se lancer sérieusement dans la production de semi-conducteur, volonté critiquée peu après de manière générale par la TSIA et Mark Liu, tandis que Micron et Western Digital feraient du pied à Bain Capital pour lui piquer Kioxia, pour en arriver aux 100 milliards de dollars supplémentaires que TSMC veut désormais dépenser en R&D et pour ses usines ! 100 milliards sont apparemment le nouveau chiffre magique, puisque c'est presque exactement le montant que SK hynix va lui aussi débourser pour son nouveau complexe d'usine, qui vient justement de recevoir le feu vert des autorités coréennes !

 

Ce sont précisément 106,35 milliards de dollars qui y seront engouffrés par le fabricant coréen, soit 90,4 milliards d'euros et donc un peu plus que les 85 milliards d'euros de la nouvelle enveloppe pour les investissements de TSMC ! Le nouveau complexe s'étendra sur 4,15 millions de m² de terrain à proximité de Yongin et sera la loge de 4 nouvelles fabs flambantes neuves — soit le futur deuxième site de production majeur de SK hynix. Collectivement, celles-ci seront à terme capables de démarrer jusqu'à 800 000 wafers par mois, ce qui en ferait alors l'un des plus gros hubs de production de semi-conducteur au monde. Sur ces 800 000, au moins 200 000 sortiront des lignes de productions équipées de scanners à lithographie EUV, lignes qui a elles seules coûteraient la modique somme de 25 milliards de dollars.

 

sk hynix dram puce

 

Point de mélange de production de DRAM et de NAND comme cela s'est fait jusqu'à présent, les 4 nouvelles usines sont prévues pour fabriquer essentiellement de la DRAM et autre mémoire pour toutes sortes d'applications, en l'occurrence à commencer par la nouvelle génération de DRAM 1a et de la DDR5 sous toutes ses formes. La construction doit commencer encore cette année, avec la pose de la première pierre de la première des 4 usines planifiée vers la fin de l'année. Mais vu la taille du complexe, vous pensez bien qu'il faudra un certain temps pour en voir le bout et surtout mettre la main sur la montagne d'équipements requise — les machines EUV en particulier !

Ainsi, SK hynix pense que la première fab ouvrira ses portes seulement en 2025. Cela peut paraître lointain, mais il ne faut pas oublier que SK hynix est déjà en position pour attaquer la production de la nouvelle génération de DRAM 1a sur un procédé EUV depuis l'achèvement du fab M16 en février à Incheon et pour laquelle SK hynix a récemment passé une nouvelle commande de scanner EUV auprès d'ASML, achat qui sera par ailleurs complètement honoré d'ici 2025, date de l'ouverture de la première usine du nouveau complexe, ce qui n'est certainement pas une coïncidence. En somme, SK hynix prépare son avenir et le fait visiblement très sérieusement ! (Source : The Korean Herald, via AnandTech)


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