Après le 421, SK Hynix mise sur le 321 (MAJ) |
• 09 Août 2023 à 18h02 • 30484 vues
Flash Memory Summit — Le coup d'envoi est donné pour la génération de NAND de classe 300 couches. C'est à l'occasion du Flash Memory Summit se déroulant actuellement à Santa Clara que SK Hynix a présenté une nouvelle génération de NAND 3D. La fabrication industrielle est prévue pour la première moitié de 2025 et prévoit une augmentation de 59 % de l' « efficience de production » par rapport à la NAND actuellement produite par la firme culminant à 238 couches qui vient tout juste d'entrer en production de masse, atteignant plus de 20 Gb/mm². Une étape, si l'on ne prend pas cette efficience pour indice de densité surfacique, qui pourrait amener à des coûts de production à capacité égale bien plus faibles — ou à des augmentations significatives des capacités finales des SSDs sans pour autant demander un emprunt bancaire pour s'offrir ces nouvelles bêtes.
On le sait, l'Asie est la terre des traditions. Aussi, capital culturel oblige, la société sud-coréenne aime toujours à parler de 4D NAND alors qu'il s'agit bien entendu toujours de TLC. Peu de détails ont été dévoilés sur les puces, notamment en temps d'accès, ou encore le type d'empilements des piles de couches : il semblerait en revanche que la vitesse d'interface reste sur 2,4 Gb/s sur le protocole ONFi.
MAJ 14/08 — Quelques informations de plus ont filtré durant la keynote, on y apprend notoirement que face à la V8 / 238L, que la vitesse de programmation était accrue de 12 % (164 Mo/s → 184 Mo/s) et que les latences de lecture seraient réduites de 13 % (45 µs → 39 µs). En outre, pour parvenir aux 321 couches, SK Hynix superpose non pas deux, mais trois piles de 107 couches.
De la même manière le procédé d'assemblage PuC (Periphery Under Cell), c'est-à-dire un empilement vertical du circuit E/S et des matrices mémoire — CuA (CMOS-under-array) chez Micron pour référence — serait toujours de mise, justifiant l'emploi par Bob du marketing (oui, toujours lui) de 4D NAND. « Avec l'introduction anticipée de la NAND haute performance et haute capacité, nous nous efforcerons de répondre aux exigences de l'ère de l'IA et continuerons à diriger l'innovation. » selon Jungdal Choi, responsable du développement NAND chez SK Hynix. Si c'est pour l'IA alors...
