La course aux nombres de couches continue du côté de la mémoire NAND, mais sous cet angle là, Samsung a un peu pris du retard par rapport à ses concurrents, du moins sur le papier, puisque tous les concurrents (WD/Kioxia, SK Hynix...) ont déjà tour à tour présenté leur version d'une NAND d'au moins 170 couches, mais uniquement celle de Micron a déjà trouvé son chemin vers les premiers SSD commerciaux, avec l'arrivée récente d'une révision du contrôleur phare de Phison. Cela étant dit, le nombre de couches de la NAND ressort du même type de marketing un peu flou qu'est le chiffre de nanomètre d'un procédé de gravure chez un fondeur, ces chiffres ne sont pas les plus pertinents pour déterminer le meilleur semiconducteur et le plus avancé du lot, bon nombre d'autres caractéristiques sont naturellement à prendre en compte. Toujours est-il que la concurrence a bien rattrapé l'écart que Samsung avait réussi à creuser depuis la NAND 3D 24 couches, alors que le géant coréen ne débarque que maintenant avec sa nouvelle génération de NAND 1xx couches, la V-NAND V7, et voici comment elle se compare aux autres :

 

NAND 3D TLC

BiCS6

WD et Kioxia

BiCS5

WD et Kioxia

V-NAND V7

Samsung

V-NAND V6

Samsung

NAND V7

SK Hynix

NAND V6

SK Hynix

176L

Micron

Type 3 bits par cellule = TLC
Capacité 1 Tb 512 Gb
Niveaux 4 2 4 2 ?
Couches >170 128 176 ? 128 176 128 176
Surface 98 mm² 66 mm² ~ 60 mm² 101,58 mm² 47 mm² 66 mm² ?
Densité 10,4 Gb/mm² 7,8 Gb/mm² 8,5 Gb/mm² 5,0 Gb/mm² 10,8 Gb/mm² 7,8 Gb/mm² ?
Latence lecture 50 µs 56 µs  40 µs 45 µs 50 µs 56 µs ?
Programmation 160 Mo/s 132 Mo/s 184 Mo/s 82 Mo/s 168 Mo/s 132 Mo/s ?
I/O 2,0 Gb/s 1,066 Gb/s 2,0 Gb/s 1,2 Gb/s 1,6 Gb/s 1,066 Gb/s 1,6 Gb/s

 

Comme on peut le voir, Samsung a beau être arrivé en retard et en retrait en matière de densité, le fondeur coréen semble être en mesure de garder la tête sur le podium des performances en lecture et en écriture si l'on en croit ces chiffres, en attendant de pouvoir connaître plus de détails techniques sur la NAND 3D 176L de Micron, qui devrait assez se rapprocher de l'offre de Samsung. Ce dernier vante aussi pour sa V7 le plus petit volume de l'industrie pour une cellule mémoire, qu'il aurait réussi à réduire de 35 % et de ce fait le tas de 176 couches ne devrait pas être plus haut que celui de 128 de la génération précédente. L'efficacité énergétique aurait aussi été améliorée de 16 %.

Samsung prévoit d'utiliser cette V-NAND V7 pour des SSD PCIe 4.0 et PCIe 5.0, pour le grand public et pour les centres de données et que l'on imaginera donc avec des performances de très haut niveau. On rappelle que le PCIe 5.0 est attendu vers la fin de l'année et les fabricants de contrôleurs SSD s'y préparent déjà, comme Silicon Motion, Marvell est même déjà paré avec deux références Bravera SC5.

 

samsung v nand puces 96l

 De la V-NAND 96L.

 

Petit mot sur l'avenir aussi chez Samsung, qui a confirmé sans donner plus de détail que sa 8e génération V-NAND V8 est en cours d'élaboration, avec des puces déjà fonctionnelles et qu'elle possédera plus de 200 couches — Business Korea a avancé le chiffre plus précis de 228 couches. Sur le plus long terme, très en écho au futur imaginé avec de la NAND de 800 couches par son compatriote SK Hynix, Samsung pense que la limite du stacking de NAND 3D n'est pas encore atteinte et pense qu'il sera possible d'obtenir un jour des piles de 1000 couches avec une technologie de « 3D scaling » ! Mais ne demandez pas encore « quand »... (Source)


Un poil avant ?

AMD fait son épisode de "C'est pas sorcier" sur le 3D V-cache

Un peu plus tard ...

Live Twitch • On se défoule sur Chivalry 2 ?

 La NAND 176 couches de Samsung arrive enfin et le fondeur aborde aussi brièvement le sujet de la suite.  

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