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La LPDDR5X, c’est bien le nouveau dada de bataille des constructeurs de DRAM dans la course au plus rapide. Si Micron a été le premier à dégainer avec des designs vérifiés atteignant 7,5 Gbps, Samsung suit en annonçant à grand fracas sa LPDDR5X à 8,5 MT/s (soit 136 Gio/s sur un bus 128-bit), compatible avec un SoC Snapdragon inconnu de chez Qualcomm, surpassant au passage leur propre record de 7,5 MT/s datant de mars dernier… et accusant près de 8 mois de retard sur son concurrent dont les premiers modèles ont été vantés en févier dernier.

 

Pour ce qui est de la technologie, la recette secrète ne change pas : du 14 nm — rien à voir avec le 14 nm FinFET des CMOS haute performance des CPU Intel Lake, mais la dernière-née des finesses de gravure orientée mémoire, permettant à Samsung de développer ses modules haute vitesse de 16 Gigabits. Il suffit par la suite de mettre des cerveaux talentueux ensemble, secouer et hop ! Voilà pour améliorer la fréquence des bousins.

 

Au niveau des applications, la téléphonie est en tête de liste des rumeurs avec le futur flagship de la marque, le Galaxy S23 ; la version officielle se cantonnant aux domaines plus génériques que sont l’IA, la 5G, le calcul haute performance, la conduite autonome ou encore le métavers, mais sans pour autant citer de partenaire particulier. Pour les joueurs, ce type de mémoire pourrait donner un coup de pouce aux consoles mobiles que sont le Steam Deck et la Switch, respectivement sous LPDDR5-5500 et LPDDR4-1600. Enfin, rappelons à qui veut bien l’entendre que les CPU Intel de la série mobile sont également compatibles LPDDR5 et LPDDR4X : de quoi laisser de la place pour un format réduit prochainement, ou — enfin — un ordinateur portable Arm satisfaisant ? (Source : VideoCardz)

 

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