Trop de DRAM et une contraction du marché en 2019 et 2020 ? |
————— 30 Juillet 2018 à 16h02 —— 20723 vues
Trop de DRAM et une contraction du marché en 2019 et 2020 ? |
————— 30 Juillet 2018 à 16h02 —— 20723 vues
M'enfin, nous sommes tout de même encore très loin du drame sur le marché de la mémoire vive, Samsung, SK Hynix et Micron se remplissent encore les poches comme jamais, mais l'avenir ne s'annonce toutefois pas aussi radieux qu'espéré. Afin d'accompagner une demande toujours en hausse - particulièrement sur le marché de l'automobile dont les besoins ne tarderont pas à dépasser ceux du smartphone - et ne surtout pas laisser de place aux rivaux, tous les constructeurs - Samsung et Micron en tête - s'affairent à augmenter leurs capacités de production au fil des prochaines années, sans oublier la transition progressive vers la production de DRAM gravée en 10nm.
Au grand dam de Samsung, la concurrence a bien pris du poil de la bête ces derniers temps et pas qu'un peu, alors qu'il s'accaparait encore 50,2% du marché de la DRAM en 2016, il en est désormais à 44% depuis le premier trimestre de l'année (mais toujours avec du bénéfice de dingue). Parallèlement, l'américain Micron a su s'offrir 23,1% du gâteau en 2018, et a aussi vu sa marge opérationnelle passer de 20% à 50% en même pas deux ans. En plus de cela, Micron est également bien parti pour voir sa capacité de production s’accroître très sensiblement sur les deux prochaines années, notamment avec l'ouverture de nouvelles usines de DRAM en 10nm à Taïwan et la migration d'usines existantes vers ce procédé.
D'un autre côté, il faut aussi se souvenir des soucis rencontrés par Micron en Chine, une affaire suivie de très près par les Coréens Samsung et SK Hynix non pas peu inquiets. Pourquoi "inquiets" alors que c'est un concurrent qui se fait malmener ? Tout simplement parce que la Chine poursuit très agressivement sa stratégie du "Made in China 2020" dont l'un des objectifs majeurs est d'établir des entreprises du pays sur le marché de la DRAM à tout prix ! Ainsi, les chinois Fujian Jin Hua Integrated Circuit et Innotron Memory (anciennement Hefei ChangXin) sont déjà en position pour débuter les essais de DRAM en 20 et 30nm dès septembre, avant de démarrer la production en masse dès la première moitié de 2019. Bien que techniquement encore inférieurs et en retrait par rapport à la concurrence, ils ne leur faudra probablement pas si longtemps avant de monter progressivement en puissance et inonder le marché avec toujours plus de DRAM.
Quoi qu'il en soit, leur production s'additionnera inévitablement à celle toujours croissante des futurs concurrents comme Samsung et Micron, ce qui amène les analystes à entrevoir un marché surapprovisionné dès 2019 et au-delà. En conséquence, le marché de la DRAM devrait plafonner à une valeur de 104 milliards de $ à la fin de 2018, pour ensuite se resserrer de 1,8% et 2,6% respectivement en 2019 et 2020. Bref, l'arrivée d'au moins deux nouveaux acteurs promet une suite intéressante ! (source)