Kioxia amorce l’échantillonnage de ses modules UFS 4.1 avec CBA

Kioxia a lancé l’échantillonnage de ses nouvelles mémoires UFS 4.1 embarquées. Le JEDEC a officialisé cette norme en janvier dernier (le 8 pour être précis), soit un peu plus de deux ans après la version 4.0 (août 2022). Déclinés en 256 Go, 512 Go et 1 To dans un format BGA standard, ces modules misent avant tout sur des optimisations architecturales plutôt que sur une montée en débits bruts — les spécifications théoriques de l’UFS 4.1 restant alignées sur celles de l’UFS 4.0 (comme la 3.1 par rapport à la 3.0 pour rester sur la précédente génération).

"UFS 4.0 Better Experience", a priori sous CBD plutôt que sous CBA © Kioxia

Des améliorations sur plusieurs tableaux

Les modèles 512 Go et 1 To s’appuient sur la BiCS FLASH 3D de 8e génération de Kioxia. Une mémoire également employée pour l'Exceria Plus G4, un SSD que nous avons testé en mars. À cette occasion, nous avions plus globalement présenté cette BiCS et détaillé l'une de ses particularités : le procédé de fabrication CBA (CMOS directly Bonded to Array). Pour la faire courte, il consiste à plaquer la logique CMOS au plus près de la matrice mémoire ; pour la version longue, voyez notre test. Cette approche est censée améliorer à la fois la densité, les performances et l’efficacité énergétique, Sainte Trinité des smartphones et autres appareils mobiles. Pour compléter, la société avait aussi présenté le concept il y a 11 mois à travers la vidéo ci-dessous.

Conséquence de ce qui précède, Kioxia concentre exclusivement sa communication sur ces deux capacités. La firme annonce des gains d’environ 30 % en écriture aléatoire sur les versions 512 Go et 1 To, et des hausses de 45 % et 35 % respectivement en lecture aléatoire, par rapport à ses modules UFS 4.0 précédents (références THGJFMT2E46BATV pour le 512 Go et THGJFMT3E86BATZ pour le 1 To). L’efficacité énergétique progresse également : jusqu’à +15 % en lecture, et +20 % en écriture sur ces deux capacités. Pour les 256 Go en revanche, c'est silence radio.

La séquence promotionnelle qui suit a été mise en ligne plus tôt dans la journée. Elle apporte un éclairage différence en se focalisant sur les écarts avec l'UFS 3.1.

De manière plus globale, l’UFS 4.1 introduit plusieurs fonctionnalités issues des recommandations du JEDEC. Par exemple, la Host-Initiated Defragmentation, qui permet à l’hôte de piloter lui-même les opérations de nettoyage ; la possibilité de définir des unités logiques comme bootables de manière permanente ; l’intégration d’une authentification par RPMB (Replay Protected Memory Block) pour renforcer la sécurité.

La norme prévoit également une meilleure granularité sur la gestion des tampons (WriteBooster Buffer Resize and Partial Flush) ainsi qu’un niveau de précision accru pour les unités logiques mémoire — une anticipation claire des futurs déploiements de NAND QLC, d’ailleurs spécifiquement signalés par le JEDEC. Et comme pour la 4.0, la rétrocompatibilité est de mise. Les modules UFS 4.1 restent fonctionnels dans des environnements UFS 3.1 / 3.0.

Chronologie Universal Flash Storage © Kioxia

Profitons de ce papier pour signaler que SK Hynix avait annoncé, en mai dernier, travailler sur des modules UFS 4.1 de 512 Go et 1 To, basés sur de la NAND 321 couches (321-High). La production de masse est prévue au premier trimestre 2026. Quelques semaines auparavant, c'est Micron qui avait présenté ses solutions G9 UFS 4.1.