Maintenant que le 5 nm est de sortie, le 3 nm est d'ores et déjà au cœur de l'action chez les rares fondeurs y participant, en l’occurrence TSMC et Samsung. On sait déjà que TSMC a de très grosses ambitions pour son procédé 3 nm, dévoilé au printemps 2020 peu après la sortie du 5 nm, il considère d'ailleurs déjà que ce node sera le prochain à devenir mainstream après le 5 nm, et pour y parvenir le taïwanais s'en donnera clairement les moyens, en agrandissant ses usines et achetant des scanners EUV à la dizaine ! Ce ne n'est pas pour autant que Samsung est en reste, même s'il fait un peu moins parler de lui, il se dit que le fondeur coréen pourrait chercher à franchir le pas du 3 nm le plus rapidement possible, pour des raisons qui peuvent paraître assez évidentes.

 

Mais voilà, entre le rêve et les roadmaps se trouve aussi la réalité du terrain, qui dans le cas d'un node très avancé de semiconducteur se manifeste déjà par la difficulté grandissante de fabriquer toujours plus petit et plus efficace, en somme une bataille contre la physique. Ainsi, Digitimes nous raconte que son compatriote TSMC rencontrerait quelques problèmes avec son 3 nm et que ceux-ci pourraient un poil chambouler le calendrier original du node, dont la production en masse était jusqu'à présent planifiée vers la seconde moitié de 2022.

Hélas, le journal n'élabore pas le type de problème que TSMC rencontrerait, et l'on se doute que cette information ne sortira pas de l'enceinte des bureaux du fondeur, sauf communiqué officiel. Heureusement pour lui, Samsung également aurait du mal à atteindre cette même finesse de gravure, en se rappelant toutefois que le Coréen doit en principe opter pour la technologie GAAFET, tandis que TSMC en resterait au FinFET.

 

Si ces retards se concrétisent, cela signifie que le 5 nm pourrait finalement être mainstream plus longtemps que prévu initialement, chez l'un comme chez l'autre, de quoi aussi gêner les projets de la clientèle s'appuyant exclusivement sur les procédés de gravure dernier cri des fondeurs, comme AMD, Apple ou Nvidia, entre autres. Au point où les produits initialement prévus en 3 nm devraient être retardés, ou au mieux adaptés au 5 nm, ce qui pourrait en retour surpeupler les lignes de production avec ce node.

Par contre, cela pourrait également donner à Intel une chance de réduire un peu l'écart avant que celui-ci ne se creuse à nouveau, son 10 nm SuperFin étant grosso modo équivalent à un 7 nm chez TSMC, mais encore à la traîne en matière de rendement, tandis que le 7 nm souffrirait à son tour d'un retard non négligeable - a priori d'un an, mais potentiellement beaucoup plus. Par ailleurs, mine de rien, du retard chez les autres donnerait aussi du temps à l'Europe pour mijoter son projet de 2 nm et essayer de ne pas être trop en retard à la fête. À suivre... (source)

 

tsmc futur wafer voyant


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