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Le successeur du FinFET se précise de plus en plus : le GAA FET

L'amélioration de la finesse de gravure des circuits imprimés et des composants pour la création des puces permet de booster l'efficacité de nos composants informatiques, mais amène à de nouveaux défis. En effet, nous avions vu il y a peu de temps qu'il est difficile de maintenir les mêmes méthodes de conception en dessous des 7 nm, car le traditionnel FinFET ne peut être avantageux à partir de ce seuil. La raison est simple, puisque le FinFET se base sur une structure verticale, il est difficile de trop rapprocher les canaux des transistors entre-eux sous peine d'avoir un effet capacitif entre chaque. La solution est donc de passer des structures à canaux verticaux aux structures à canaux horizontaux, appelées GAA FET et divisées actuellement en deux technologies - dont les méthodes de conceptions sont similaires - appelées Nanowire et Nanosheet.

 

Il faut savoir avant toute chose que les GAA FET ne sont pas nouveaux, mais leur complexité de fabrication avait laissé la place aux FinFET durant les années 2000. Mais les limitations de cette technologie ont poussé les fabricants à développer les GAA FET depuis quelques années, dans l'objectif de sortir des puces basées sur ce type de transistors dès l'année prochaine. Le procédé de fabrication diffère de peu celui du FinFET : plutôt que de réaliser un mur pour la jonction source/drain, un premier matériau est utilisé pour mettre en forme les feuilles, puis est dissous pour ne laisser que ces feuilles. Par la suite, la grille - gate en anglais - est déposée et chargée.

 

gaafet samsung

 

Les avantages de ces transistors sont la possibilité de proposer pour un seul élément plusieurs canaux - jusqu'à 6 chez TSMC - ce qui permet la réalisation de transistors plus stables et précis. L'avantage est que cette technologie permet de continuer l'amélioration de la finesse de gravure tout en consommant toujours moins que son prédécesseur. Bien entendu, comme la technologie en est à ses débuts sur le plan industriel, il faudra s'attendre à de nombreuses itérations et des différences notables entre les fondeurs. Il ne reste donc plus qu'à attendre les premières puces industrielles basées sur cette technologie, qui sortiront probablement en 2021 ou 2022 en 5nm. (source : Semi Engineering)

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par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Jeudi 27 Février 2020 à 17h30  
Bon .. Désolé mais je pense que l'auteur de la news n'as pas bien compris l'article qu'il a voulu résumer.

 
L'amélioration de la finesse de gravure des circuits imprimés
On parle de circuit intégré. Les circuits imprimés, c'est les PCB ça.
 
puisque le FinFET se base sur une structure verticale, il est difficile de trop rapprocher les grilles des transistors entre-elles sous peine d'avoir un effet capacitif entre chaque.
Mmuh?? Dans l'article ils parlent de problème pour rapprocher les Fin les uns des autres (car un transistor FinFET est fait de plusieurs Fin, qui est une structure verticale) pas de rapprocher les gates d'un transistor. La Gate est composite mais il n'y en a pas plusieurs sur un transistor par contre il lui faut une place minimal entre 2 Fin. Ça c'est un problème spécifique au FinFET. Il est vrai que rapprocher les grilles de plusieurs transistors pose des problèmes, mais les GAAFET n'ont pas de solution spécifiquement pour ça.
 
Les avantages de ces transistors sont la possibilité de proposer pour un seul élément plusieurs grilles - jusqu'à 6 grilles chez TSMC - ce qui permet la réalisation de transistors plus stables et précis
Je n'ai pas lu ça dans l'article du tout, ils parlent de transistor qui ont 6 types de grille possible, pas de transistor avec 6 grilles à la fois. C'est comme si on te disais qu'une voiture peut avoir 6 types de moteurs différents et que tu en conclu qu'elle peut avoir 6 moteurs à la fois.
 
6 grilles chez TSMC
Source?
 
passer des structures à grilles verticales aux structures aux grilles horizontales, appelées GAA FET
Un GAAFET (GAA = Gate-All-Around) c'est surtout une grille tout autour du canal, pas horizontale.
par dfd, le Mardi 25 Février 2020 à 18h05  
par Une ragoteuse à forte poitrine de Bretagne le Lundi 24 Février 2020 à 21h58
alors que chez TSMC ils sont sous AMFET
par Gustavo L.P., le Mardi 25 Février 2020 à 00h11  
par dfd le Lundi 24 Février 2020 à 18h24
Chez Intel, c'est pas l'AAFET...
par Une ragoteuse à forte poitrine de Bretagne, le Lundi 24 Février 2020 à 21h58  
par dfd le Lundi 24 Février 2020 à 18h24
Chez Intel, c'est pas l'AAFET...
alors que chez TSMC ils sont sous AMFET
par Pascal M., le Lundi 24 Février 2020 à 18h30  
par Un adepte de Godwin en Île-de-France le Lundi 24 Février 2020 à 17h30
Toujours pas de BOBAFET
par dfd le Lundi 24 Février 2020 à 18h24
Chez Intel, c'est pas l'AAFET...
par dfd, le Lundi 24 Février 2020 à 18h24  
Chez Intel, c'est pas l'AAFET...
par Un adepte de Godwin en Île-de-France, le Lundi 24 Février 2020 à 17h30  
Toujours pas de BOBAFET
par Riseoflegends, le Lundi 24 Février 2020 à 14h49  
par Un ragoteur qui aime les BX du Grand Est le Lundi 24 Février 2020 à 13h34
Le 5nm n'est qu'un 7nm optimisé, pas un vrai 5nm. (comme à l'époque du 16nm et du 12nm, le 12nm était un 16nm optimisé )
Non le 5nm est bien un nouveau node avec 80% de densité en plus Le 7nm optimisé sera plutot appelé 6nm.
par Deus, le Lundi 24 Février 2020 à 13h53  
Article interessant... Donc en gros, GAAFET, ca sera pas pour Zen 3 mais plutot pour les Zen en socket AM5 ?
par Un ragoteur qui aime les BX du Grand Est, le Lundi 24 Février 2020 à 13h34  
Le 5nm n'est qu'un 7nm optimisé, pas un vrai 5nm. (comme à l'époque du 16nm et du 12nm, le 12nm était un 16nm optimisé )
par Guillaume L., le Lundi 24 Février 2020 à 13h31  
par Un pipotronneur d'Occitanie le Lundi 24 Février 2020 à 13h21
Ça veut dire que le 5nm TSMC de cette année serait en FINFET(+++++) ? Car de ce que j'ai compris le gros des leaders du smartphone basculent en 5nm cette année, donc on devrait avoir les réponses d'ici l'automne prochain, non ?

Sinon 5nm+ en 2021 alors ?
Oui, nous en avons déjà parlé dans les deux autres actualités en liens dans cette brève .
Il faudra bien attendre minimum 2021 pour les premières puces en GAA FET, sauf en cas de surprise incroyable
par Un pipotronneur d'Occitanie, le Lundi 24 Février 2020 à 13h21  
Ça veut dire que le 5nm TSMC de cette année serait en FINFET(+++++) ? Car de ce que j'ai compris le gros des leaders du smartphone basculent en 5nm cette année, donc on devrait avoir les réponses d'ici l'automne prochain, non ?

Sinon 5nm+ en 2021 alors ?