Après avoir fait une annonce fracassante avec la première puce V-NAND ou NAND 3D, Samsung a montré lors du Flash Memory Summit son premier SSD nommé V-NAND et ayant une capacité de 960Go, bien qu'un 480Go soit également prévu. Bien entendu, vu le type de mémoire embarquée, les coûts ne permettent pas encore de passer ce genre au "grand public", et cela n'a que peu d'intérêt commercial pour la firme qui, pour cette branche-là de son activité, se tourne plutôt vers de la moins onéreuse mémoire TLC.

 

Globalement le but est d'empiler les 24 couches de transistors, ce qui donne la structure 3D, afin de proposer des puces qui ont moins de courants de fuite par une meilleure isolation des substrats, en plus d'avoir une longévité augmentée dans une fourchette comprise entre 2 et 10 fois ! Les performances également seraient en hausse, surtout en écriture grâce à l'emploi de 64 packages de MLC 3D V-NAND, Samsung annonce pour le moment et grâce à ce procédé un gain de performance de l'ordre de 20% en écriture par rapport à une structure planaire pour une consommation réduite de 40%.

 

samsung_ssd_vnand_960go.jpg  


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