Ça bouge sur la mémoire destinée aux supports mobile pour cette année. Après l'annonce de Toshiba sur la production en masse de puces UFS 3.0, voilà que Samsung annonce avoir mis au point lui aussi des modules afin d'en équiper ses appareils mobiles dès le premier semestre 2019. Cela commencera par des puces au format 128 Go et 512 Go puis plus tard dans l'année au format 256 Go et 1 To. Cela annonce une montée en gamme - et probablement en prix - du stockage fourni avec nos smartphones.

 

Mais techniquement ça dit quoi tout ça ? Apparemment, nous sommes sur la cinquième version de mémoire V-NAND, donc ce sera du 96 couches en TLC pour 54 Go par puces mémoire (2 sur la version 128 Go et 8 sur la version 512 Go). Ce procédé permet d'obtenir des mémoires fiables tout en maintenant des tarifs raisonnables, espérons que l'impact sur les prix des appareils sera insignifiant. Mais surtout c'est sur les débits que ça fait rêver : le coréen annonce des vitesses en lecture séquentielles de l'ordre de 2100 Mo/s en lecture et 410 Mo/s en écriture, ainsi que des IOPS autour de 63000 (lecture) et 68000 (écriture). Clairement un point très positif sur l'amélioration de la réactivité de votre bombe Galaxy Note futur, mais aussi pour les tablettes, chromebook... En espérant que la promesse sera tenue sur les performances et voir quels seront les heureux élus qui pourront en disposer. (Source : ExtremeTech)

 

samsung ufs story

 Le numéro 1 des smartphone suit la voie de Toshiba et se lance sur la NAND embarquée à haut vitesse... 

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