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Alors qu'il a été le premier sur le marché à lancer une NAND avec 232 couches, voilà que Micron est le premier à annoncer la génération de Dynamic Random Access Memory 1β ou 1-beta ! Par rapport à la précédente génération 1a, le nouveau node permettra d'augmenter simultanément l'efficacité énergétique et les performances, comme d'habitude, quoi. Le procédé de fabrication 1β de Micron fait aussi usage de la 2e génération HKMG (high-K metal gate) et le die d'une même puce mémoire de 16Gb pourra ainsi être jusqu'à 35 % plus dense et 15 % plus efficace énergétiquement, ce qui saura se montrer particulièrement utile pour les puces DDR5 haute capacité et les puces LPDDR5X pour mobile, serveur et desktop. Naturellement, tout ceci a aussi pour objectif de réduire les coûts.

 

micron lpddr5x 1 beta

 

micron 1-beta [cliquer pour agrandir]

 

micron 1-beta [cliquer pour agrandir]

 

Micron continue à se distinguer de ses rivaux coréens par le fait que sa technologie repose toujours exclusivement sur une lithographie DUV, alors que Samsung et SK Hynix étaient tous deux déjà passés à l'EUV pour la production de leur DRAM 1a - SK Hynix avait démarré sa production en volume de DRAM 1a avec EUV en juillet 2021. Néanmoins, Micron affirme tout de même être ici arrivé au bout de ce qu'il était possible de faire avec la lithographie DUV et a confirmé que cette nouvelle génération est la dernière à se passer d'EUV, qui sera indispensable à l'avenir pour continuer à réduire la taille des cellules de DRAM. On a donc hâte de voir ce que l'américain arrivera à accomplir par la suite avec la transition vers une lithographie plus avancée. Le premier produit à exploiter ce nouveau procédé sera une puce LPDDR5X-8500 16 Gb, elle sera adaptée aux appareils mobiles, mais aussi aux SoC PC, ainsi qu'aux accélérateurs d'IA.

 

Nouveau procédé et première puce sont tous deux prêts à être fabriqués en volume, qui démarrera dès lors que les échantillons de LPDDR5X-8500 auront été qualifiés par les intéressés. Attendons-nous maintenant à ce que Samsung et SK Hynix réagissent très prochainement à cette nouvelle en annonçant à leur tour leur procédé de nouvelle génération respectif. Il sera notamment intéressant de voir quels avantages - s'il y en a - les producteurs coréens auront réussi à tirer de la lithographie EUV pour leur DRAM de demain.

Un poil avant ?

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