Après les fuites sur Samsung concernant le développement d'une nouvelle génération de puces mémoires LPDDR5 gravée en EUV, c'est SK Hynix qui dégaine l'artillerie lourde et qui annonce une amélioration de ses puces de RAM mobile de dernière génération. En effet, le fondeur passe à l'étape d'après en proposant des puces plus rapides que la génération précédente de 16 %, passant de 5500 MT/s à 6400 MT/s, et plus denses, puisque la taille maximale passe à 18 Go par puce, donnant des possibilités phénoménales en quantité de RAM sur les appareils mobiles, comme les smartphones ou les ultraportables. De plus, le fabricant annonce qu'il est en train de produire en masse ce type de mémoire, afin d'équiper au plus vite les futurs smartphones.

 

Le premier smartphone qui en sera équipé provient d'un acteur récent, mais qui est déjà connu du monde du PC, puisqu'il s'agira du ROG Phone 5 de chez ASUS, qui cherche donc à jouer à qui a la plus grosse taille de... mémoire. De quoi venir essayer de chatouiller les flagships de chez Samsung, qui ont l'air de profiter d'une mémoire plus véloce. Toutefois, le procédé de gravure n'est pas indiqué, SK Hynix commençant tout juste à produire avec de l'EUV et explique que cela ne sera pas si simple au départ. Un autre point, c'est la question de l'intérêt possible de faire de telles puces pour le marché mobile, puisque l'augmentation de la taille et de la fréquence augmente la consommation en énergie de la mémoire, même en LPDDR5, ce qui pourrait être moins bon pour l'autonomie. (source : SK Hynix)

 

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