Pour cette news, il faudra malheureusement (encore) sortir les pincettes, la source de la source de l’information n’ayant pas été divulguée. En tout cas, il se murmure en Corée du Sud que le fondeur coréen chercherait à accélérer le mouvement sur le marché du stockage et dans la conception de sa V-NAND de 7e génération.

 

En phase avec cette feuille de route publiée en 2018 par Applied Materials, la prochaine NAND de Samsung devrait afficher jusqu’à 160 couches, alors qu’on vient à peine de commencer la transition des NAND 64/72/92 couches vers les NAND de plus de 100 couches — précisément 112 chez WD/KIOXIA, 128 chez SK Hynix et Micron, et 136 chez Samsung. Clairement, Samsung propose déjà la mémoire NAND la plus dense du marché, mais vous pensez bien que ça ne s’arrêtera pas là, conserver un leadership ne se fait pas les mains dans les poches (quoique, ça dépend aussi de la poche concernée) !

 

Comment y arrivera-t-il ? Eh bien, selon les rumeurs, Samsung utilisera sa méthode maison « Double-Stack » pour la conception de la structure 3D verticale de la prochaine V-NAND. Cette technologie, déjà exploitée par le fondeur, consiste à couper les trous pour l’interconnexion des couches en deux étapes plutôt qu’une, ou en d’autres mots, créer des ouvertures pour les électrons à deux moments différents pour permettre au courant de passer à travers les circuits.

Sur le plan de la densité, la NAND 160L devrait proposer une augmentation assez faramineuse de près de 67 % par rapport à la NAND 96L, sans oublier les gains potentiels avec le passage à d’autres procédés de gravures plus fins ou des technologies telles que le PLC (5 bits par cellule) de KIOXIA. En tout cas, l’enjeu d’une NAND 160L est de taille (haha), notamment pour arriver à proposer des SSD de plus grandes capacités, et Samsung semble être bien avancé dans cette course. Mais jusqu'à quel point cela sera-t-il plus intéressant que d'utiliser un bon vieux disque dur ?

 

Néanmoins, il faut encore attendre l’annonce officielle pour découvrir en détail cette future 7e génération de V-NAND, ce qui devrait normalement se faire durant cet été, si Samsung s’en tient à ses habitudes précédentes et à condition qu’il n’y ait pas de retard, à l’image d’un 3 nm, semblerait-il, repoussé à cause du Coronavirus.

D’un autre côté, il n’est pas à écarter que Samsung - et les autres ? – puissent effectivement songer à accélérer la cadence, également afin de maintenir un écart solide avec le Chinois YMTC. Ce dernier vient d’annoncer sa NAND 3D 128 couches, suivant un bref passage en 32 et 64 couches, une rapidité qui peut laisser songeur quant à la suite, potentiellement avec l'émergence d'une nouvelle concurrence accrue pour le cartel en place. (Source : ETnews)

 

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 De la NAND 3D 160 couches ? Comment, et pourquoi faire ?  

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