Intel Accelerated • Intel 20A, un nouveau noeud de gravure à l'étude, sous le Intel 3

Avec la conférence Intel Accelerated, Pat Gelsinger a réalisé une sorte d’Architecture Day du côté des avancées internes : fonderies et packaging. Fort heureusement, la firme y avait plus à annoncer qu’un renommage de ses finesses de gravure, puisque le fondeur a pour la première fois fait mention du 20A, un nouveau nœud qui fera suite à l’Intel 3. Portant la lourde responsabilité de « faire entrer Intel dans l’ère de l’ångström », le jeu du renommage fait toutefois correspondre ce 20A (soit 2 nm, au passage) avec le « 5 nm » précédent, certes sujet à peu de communication de la part des bleus.

 

 

Prévu pour la première moitié de 2024 — oui, nous avons clairement le temps de le voir venir —, le 20A se basera (baserait ?) sur un nouveau type de transistor faisant suite au FinFET : le RibbonFET. Inconnu ? Pas tant que cela, vu qu’il s’agit du Gate All Around FET, soit GAAFET, un procédé bien présent dans les roadmaps des concurrents.

 

 

Cela ne sera pas tout, car une nouvelle trouvaille technologique sera aussi à l’œuvre sur le 20A : les PowerVia. Alors que, traditionnellement, l’alimentation du processeur s’effectue sur les couches métalliques imprimées au-dessus des transistors, les PowerVia permettent de goinfrer le processeur en électrons par le bas, un système également appelé BS-PDN (BackSide Power Delivery Network). Cela permettrait d’une part de densifier l’interconnect, désormais uniquement réservé à de la logique pure, mais également de réduire les phénomènes de Vdroop et le bruit résiduel des circuits. Dans la pratique, ce système sera effectué par l’assemblage d’un wafer passif contenant l’alimentation et le wafer actif traditionnel, affiné spécialement pour l’opération, le tout à un coût inférieur à un empilement 3D type Foveros, bien sûr.

 

 

Pour les améliorations suivantes, Intel a déjà dans ses prototypes un 18A, pour début 2025 si tout se déroule comme prévu (sic). Cette date concorderait également avec la mise en production de matériel High-NA : la nouvelle génération de machine de lithographie visant à perfectionner les EUV. En effet, apprenant de ses leçons — Intel ayant été particulièrement long à s’équiper en EUV, ralentissant d’autant plus la production du 10 nm, et les rendements du fait d’un processus nombreux en étapes — le géant bleu compte bien être le premier à faire usage du matériel high-NA et aligner les biftons dans ce but, avec une collaboration étroite avec ASML. Reste à voir si cela suffira pour éviter les retards !