L'évolution de nos composants ne jure que par deux choses, la miniaturisation et la théorie de Moore (qu'on a élevé au rang de "loi" bien malgré son auteur). Cette même "loi de Moore" a été mise à mal par la difficulté rencontrée à réduire la taille des transistors. C'est bien joli de vouloir toujours plus de transistors, mais la technologie a ses limites et on pensait qu'arrivée à la barrière de la gravure en 5nm, l'industrie finirait par stagner.

 

Pourtant, les laboratoires de Berkeley viennent d'arriver à fabriquer un transistor de seulement 1nm. Preuve que Moore et sa théorie en ont encore dans le pantalon et que nos chers composants vont pouvoir continuer d'évoluer dans le futur. Le secret est dans le matériau utilisé. Notre cher silicium a fait son temps et il va falloir aller voir ailleurs (qui a dit graphène et diamant ?). Ici, ce sont des nanotubes de carbones associés à du disulfure de molybdène qui permettent de résoudre les problèmes connus avec les transistors de 5nm. A 5nm, les électrons arrivaient à passer d'un tube à l'autre sur du silicium et le disulfure de molybdène empêche la chose. Ce composé chimique offre plus de résistance au passage des électrons que le silicium, mais cet inconvénient est jugulé par les possibilités ouvertes grâce à la miniaturisation. Leur transistor de 1nm n'arrivera pas demain dans le grand commerce et leur procédé a besoin de maturer encore un peu, mais on a la preuve que le nouveau combat de la miniaturisation se passe du côté des matériaux utilisés et que les ingénieurs et chercheurs en la matière ne se laisseront pas arrêter (sauf peut-être par les lois de la physique à un moment ou à un autre). (source : WCCFtech)

 

transistor 1nm berkeley


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