Dans la série des fondeurs, Samsung ne fait pas vraiment les têtes d'affiche des CPU et autres GPU - c'est TSMC qui a raflé la mise RDNA / Zen 2 en 7 nm, alors que la première a pourtant un semestre d'avance technologique. Preuve en est avec l'information du jour - enfin, de la veille - chinée d'on ne sait trop où à un événement concernant les performances du futur procédé en 3 nm de la firme.

 

Et Dieu sait que les chiffres sont impressionnants. Nommé 3GAE de par la technologie Gate-All-Around utilisant des nanofils, ce processus offrirait par rapport au 7 nm au minimum 65 % de réduction de la consommation (à fréquence égale) ou 40 % d'augmentation des performances à gloutonnerie d'électrons constante : de quoi faire plaisir déraisonnablement à nos petites puces ! Niveau densité, c'est là encore le nirvana avec un facteur 2,5 ! Il faut dire que ce 3 nm, gravé en EUV, est un noeud de gravure différent du 7 et du 5 nm, d'où les valeurs si élevées de gains.

 

 

Si vous ne connaissez pas le gus, sachez qu'il administre le site WikiChip.org dont nous relayons très souvent les articles détaillés concernant les puces CPU des segments allant des portables aux gros bousins serveurs en passant par l'ARM et quelques actualités diverses telles les accélérateurs de machine learning... Autant dire que si les chiffres ne sont pas officiels, la source est de confiance. Avec une production de risque - la dernière étape de calibration des chaînes de production avant la mise en route pour les partenaires sélectionnés - prévue pour 2021, c'est à croire que la loi de Moore s'est réveillée avec le rattrapage de l'avance autrefois considérable d'Intel par ses fonderies concurrentes. Dans 3 ans, une nouvelle raclée ?

 

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 Le 3GAE promet d'être fabuleux, mais c'est son concepteur qui le prétend ! 

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