C'est avec un zouli communiqué de presse que GlobalFoundries a annoncé qu'un 12nm FD-SOI venait d'être ajouté à sa roadmap pour 2019. Ce procédé est là pour des appareils consommant très peu, du mobile computing ou même des puces 5G, et il se nomme simplement 12FDX, il vient succéder au 22FDX. Si GlobalFoundries reconnait explicitement que les appareils ont besoin de la patate délivrée par les transistors FinFET, il admet, pour justifier son choix, que la vaste majorité des puces ont besoin d'un degré d'intégration et de flexibilité qu'offre le SOI. Le fondeur compare son 12FDX à un 10nm FinFET, qui consommerait 50% d'énergie en moins pour 15% de perfs en plus que les puces 16nm FiNFET actuelles.

 

C’est l'usine Fab 1 située à Dresde en Allemagne qui est l'élue pour opérer sa métamorphose en machine à fabriquer du 12FDX. En revanche GloFo parle de premiers samples tape-out (échantillons produits) au début du premier semestre 2019, ce qui implique que les produits qui en bénéficieront ne seront pas dans vos mains avant de longs mois plus tard, subtilité de la communication. Néanmoins il y a des acteurs qui seront fatalement intéressés par ce 12FDX, Soitec par exemple s'est déclaré ravi. Mais où en est la concurrence ?

 

Eh bien il semble qu'elle ait un temps d'avance ! Car on a bien compris que le 12FDX sera plus efficient à bien des égards face au 16nm FinFET, mais qu'en sera-t-il face au 10nm FinFET ? On n'en sait rien mais on devrait être dans le même genre d'optimisations, toutefois ce 10nm FinFET arrivera en 2017 chez des fondeurs prestigieux et concurrentiels comme Intel, Samsung, sans oublier TSMC. Et ça sera avec 2 années d'avance, gageons que la loi de Moore soit freinée pour permettre à GloFo de ne pas être largué par la concurrence !

 

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